基于多模型的模拟电路软故障诊断

针对电子装备模拟电路故障诊断过分依赖专业技术人员和诊断专家的不足,提出利用信息融合技术,综合极限学习机(ELM,Extreme Learning Machine)、支持向量机(SVM,Support Vector Machine)以及BP(Back Propagation)神经网络等智能故障诊断模型,对模拟电路软故障进行诊断的故障诊断方法。通过对不同模型分别输入不同频率的电压信号,得到每个模型的诊断结果;采用DS(Dempster-Shafe)证据理论对每个模型诊断结果的可信度进行评估,确立每个模型诊断结果的组合置信度。通过不同模型诊断结果的决策层融合,最终获得诊断结果。以某型装备滤波电路的故障诊断为例,多模型融合诊断结果的准确率比单一方法模型的诊断准确率有了明显的提高,证明了该方法的有效性。     

E-PHEMT微波宽带放大器的静电防护电路设计

为提升E-PHEMT微波宽带放大器的抗静电能力,在分析放大器3个端口电路结构的基础上,兼顾静电保护效果、电路尺寸、微波特性与被保护电路的有机结合,提出基于PIN二极管作为基本组成元件的微波宽带放大器静电保护电路的设计方法和思路,并研制出实物样品.通过试验对比放大器改进前后的电性能和抗静电能力,其结果表明:改进后样品的微波特性满足规范要求、抗静电能力由500V提高到2 000V.该设计方法和思路在保障放大器电特性的基础上,提升了放大器的抗静电能力.     

基于单片机的DC—DC升压电路设计与仿真

介绍了Boost电路升压原理，给出了Boost电路完整的设计方案，重点讨论了硬件电路的设计，对软件所要实现的功能进行了设定，并设计了软件的流程图。最后用Matlab／Simulink软件，对电路进行了仿真实验，实验结果证明，该电路简洁有效，设计结果达到了预定的要求。     

核电磁脉冲模拟器的电场特性及等离子体阵列的防护性能

强电磁脉冲通过电子设备表面耦合进入内部将产生显著的破坏作用,而等离子体作为一种特殊的电磁介质,具有屏蔽强电磁脉冲的能力,因此基于等离子体的强电磁脉冲防护研究具有重要意义。利用CST软件仿真分析了核电磁脉冲模拟器工作空间的电场分布。进行了核电磁脉冲对单片机的干扰和破坏效应辐照研究,得到了其对MF-51-1型单片机的干扰和破坏阈值分别在10 kV/m和18 kV/m左右。实验研究了单层等离子体阵列对核电磁脉冲的防护性能,能量衰减均在10 dB以上。实验结果表明,等离子体具有强电磁脉冲防护的能力。     

军用电传动车辆混合动力系统能量管理技术

混合动力系统是军用电传动车辆具有优越性能的基础,能量管理技术则负责实现负载需求在系统中各动力源间的合理分流及部件的优化控制,是军用车辆混合动力系统研究的关键技术之一。分析了军用车辆混合动力系统的特点,研究了其对系统能量管理的影响,总结了当前能量管理技术研究现状,最终,针对当前能量管理技术存在的问题提出了相应的解决方案。     

层流介质中金属板腐蚀电位分布研究

为了研究流动介质中产生的静电场,结合电化学和流体力学相关知识建立层流介质中金属板模型,利用贝塞尔函数展开及其逆运算推导出在三层介质中基于点电荷模型的腐蚀电位解析表达式,同时计算出金属板产生的电场。运用推导出的解析表达式计算出在流动介质中任意场点处金属板随不同流速产生的腐蚀电位,并通过实验验证结果的正确性。结果表明,对层流条件下电化学反应产生的电流密度所建模型的结果与实验测量数据吻合度较高,同时电场分布也会随着流体流速及层流方向上长度的变化而发生变化。     

一种新的混沌雷达信号源的设计

基于考必兹(Colpitts)混沌振荡器,给出了一种新的混沌雷达信号源。这种混沌电路通过电容耦合两级改进型考必兹混沌电路实现。给出了基本改进型和两级耦合后的信号产生电路仿真结果,并对这种混沌雷达信号源和单级考必兹混沌电路的输出信号频谱进行了比较。     

雷电电磁脉冲对数字电路的辐照耦合试验研究

以某装备上的串行数据分配电路为试验对象,研究了雷电电磁脉冲对该电路的辐照耦合,并通过改变脉冲场的强度、极性、被试对象在场中的方向以及被试器件的类型,探讨了雷电电磁脉冲对数字电路的耦合规律。     

自动化电弧喷涂路径偏移间距的优化模型

基于电弧喷涂沉积丘的轮廓呈高斯分布的假设,并结合实验结果,建立了电弧喷涂沉积丘轮廓的数学模型,由此推导出了自动化喷涂过程中平行路径偏移间距这一重要参量的优化模型。该模型为合理规划自动化喷涂的路径提供了依据。     

成膜树脂对防静电涂层高温电阻率影响研究

采用石英灯加热、电阻率动态测试的方法,研究了成膜树脂对防静电涂层高温电阻率的影响.结果表明,成膜树脂对防静电涂层室温和高温表面电阻率都有明显影响.不同类型的树脂,其涂层表面电阻率升高的起始温度和电阻率峰值不同.单组分树脂起始温度低,峰值小;而双组分树脂起始温度高,峰值大.